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如何防止在X检查过程中Flash器件的损伤

随着智能穿戴设备的增加和普及。任何一个智能穿戴设备离不开Flash Memory。长时间照射在Flash Memory的情况下, Flash Memory内的程序会被擦除,导致生产的产品不合格,例如三星的器件规格书内明确规定了吸收X光辐射的量不超过0.5Rad。因此,只要是需要对Flash Memory进行检查的厂家,都会面临这个问题。

方案概述

问题的提出

随着智能穿戴设备的增加和普及。任何一个智能穿戴设备离不开Flash Memory。长时间照射在Flash Memory的情况下, Flash Memory内的程序会被擦除,导致生产的产品不合格,例如三星的器件规格书内明确规定了吸收X光辐射的量不超过0.5Rad。

因此,只要是需要对Flash Memory进行检查的厂家,都会面临这个问题。那么针对这个问题,又有什么样的解决方案呢?


根据用户日常检测参数,定义最长容许检测时间

凯意

Gy and Sv, Rad, Sv/h 定义 

Gy 和Rad 都是测量物体吸收的X射线能量的多少. 

1 Gy = 1J / kg. (1kg 材料吸收1焦耳X-ray 能量) 

1 Rad=0.01Gy  

Sv测量X射线强度的单位(等同于这点的X射线被物体全部吸收后的X射线强度.

1 Sv = 1J / kg

因此

1 Gy = 1Sv = 1,000 mSv=1,000,000μSv 

1 Rad=0.01Gy =10mSv= 10,000uSv 


Flash memory 吸收X射线能力测试  

凯意

根据用户日常检测参数,定义最长容许检测时间(3)

凯意

结论,根据客户特定的检测参数, Flash memory 最长可以照射的时间

凯意

防止Flash  Memory被损坏的解决方案(1)

凯意

防止Flash  Memory被损坏的解决方案(2)

凯意

其他需要注意的事项(3)

凯意

结论 

通过上面解决方案,单个芯片在检测过程中,总曝光时间小于30秒。

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Email:info@kanatc.com





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