防止X射线损坏Flash Memory的解决方案
目前由于Flash Memory存储器件存储密度不断上升，芯片生产工艺节点不断更新，20纳米以内的工艺在存储器件的制造中越来越普遍，线宽的不断健硕除了给制造带来挑战，对组装过程中的射线检查也带来了新的挑战。实验证明，内存芯片在X光长时间的照射下，由于电子跃迁，会带来数据的丢失，从而使产品系统失效。而X光检查是组装过程中不可或缺的可靠性手段，为了避免芯片受到损伤，我们提出了以下的解决方案供大家参考以帮助工厂工程师在使用X光设备时合理的避免产品的失效。
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