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CIS(CMOS Image Sensor)的TSV封装工艺是属于TSV狭义概念的硅通孔工艺,通过硅穿孔将上下线路连通达成目的,还没有上升到3D集成的高度,与行业内SiP所讲的TSV系统集成的概念有所区别。但CIS封装是目前一个重要的封测工艺组成部分
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查看详情SiP的开发周期可以更短,加速产品的上市时间,这也是SiP产品能够被客户接受的重要原因之一
查看详情SiP技术在20世纪90年代被提出,二十多年来已经被业内接受并蓬勃发展,在未来可预期时间内依然具有较大的发展空间。
查看详情通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。
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